当PN结外加反向电压|vD|小于击穿电压（VBR）时，iD≈–IS。IS很小且随温度变化。当反向电压的绝对值达到|VBR|后，反向电流会突然增大，此时PN结处于“
2020-08-27 16:28
PN结的反向击穿是半导体物理学中的一个重要概念，它指的是在PN结处于反向偏置状态时，当外加的反向电压增加到一定程度时，PN结的电流会突然激增，这种现象称为PN结的
2024-07-25 11:48
01 反 向雪崩击穿 一、背景介绍 根据 Using LED as a Single Photon Detector [1] 所介绍的红色LED的单光子雪崩反向击穿电流效应， 在博文
2023-06-30 07:35
调节反向击穿电压的电路
2009-10-24 14:06
功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
PN结的反向击穿有哪几种形式？ PN结（即正负电极结）是半导体器件的基础结构之一，它是由p型半导体和n型半导体直接接触组成的简单晶体管结构。PN结的一个重要特性是反向击穿
2023-09-21 16:09
在博文 利用LED来作为单光子雪崩检测器[2] 中介绍了 油管上Robotix的LED单光子现象[3] 。 对于LED反向SPAD效应之前没有注意过， 下面通过实验来观察手边 一些LED反向击穿过程是否会出现单光子脉
2023-01-31 17:29
稳压管正常工作时为什么能够处于反向击穿区？ 稳压管是一种用于稳定电压的电子器件，能够将不稳定的输入电压转换为相对稳定的输出电压。通常情况下，稳压管处于正向击穿区域产生工作稳定的输出电压，但有
2024-01-16 13:50
电力MOSFET的反向电阻工作区 电力MOSFET在很多电子设备中都有广泛的应用，例如电源、驱动电路、LED控制等。MOSFET是一种基于场效应管的晶体管，其主要功能是
2023-10-26 11:38
三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
2019-06-26 16:50
