有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度
2017-09-22 11:44
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺
2021-03-11 07:53
参数反映了器件可以处理的脉冲电流的能力，脉冲电流要远高于连续的直流电流。IDM工作在连续的状态下，长时间工作在大功率之下，功率MOSFET的结
2016-08-15 14:31
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-
2018-11-28 14:28
我希望在一定的延迟后生成脉冲。我已经生成了两个相移的非对称 PWM 波形。现在我想在单脉冲模式下触发另一个定时器。我怎样才能做到这一点？我不知道如何设置或触发定时器的单脉冲模式。我是 STM 控制器中定时器编程的新手
2022-12-26 07:23
的热量部分的可以通过铜皮散掉，峰值电流能力增加。 测量条件是单脉冲，如果使用多脉冲，在下一个脉冲加到器件时，上一个脉冲产生的热量要能够耗散掉，否则由于热量积累增加器件
2016-08-24 16:02
。 背景通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在Tj 超过了175℃时就有可能损坏。由此，使用时
2019-09-20 09:05
STM32的定时器可以配置为单脉冲模式，所谓的单脉冲就是通过配置定时器使其在一个可控延时后，产生一个脉宽可控的脉冲。使用STM32CubeMX工具配置起来非常方便。硬件环境
2021-12-08 06:05
先看看官方资料对单脉冲模式的介绍下面看C代码的实现void PWM_GPIO_Init( void ){ PC_DDR_DDR6 = 1; //输出管脚PC6TIM1_CH1 PC_CR1_C16 = 1;//推挽输出 PC_...
2022-01-13 07:08
，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。本文介绍了如何计算结温，并说明热阻的重要性。 文中探讨了较低热阻 LED 封装替代方法，如芯片
2017-04-10 14:03
