单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是
2025-05-15 15:32
用于连接两块相同或不同金属材料。它的工作原理是通过将电流通过两个接触电极的接触面，从而形成局部高温区域，使得金属表面瞬间熔化并形成焊接接头。单脉冲点焊一般包括以下几个步骤： 1. 预压：在焊接接头处施加一定的压力，使
2024-02-18 09:29
单脉冲采样电路 图5.4-76是一单脉冲采样电路。它由N个相同的采样电路，一个模拟多路开关和控制电路组成。当输入的单脉冲电平达到某一阀值时使缓冲器输
2010-05-24 10:38
单脉冲发生器
2009-04-03 09:41
可开关的单脉冲、连续脉冲发生器
2009-04-03 09:43
单脉冲FMCW雷达框图
2011-02-27 15:00
防抖动单脉冲电路图
2009-04-10 18:14
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度
2017-09-22 11:44
场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺
2021-03-11 07:53
