2所示，公式1极适用于平面型MOSFET组件，但像超接面等更复杂结构的表征效果极差，在任何计算中都会导致较大误差。为了适应各种新组件架构的电容特性需求，可以使用更有效率的电容测量方法，而非建立
2014-10-08 12:00
混合信号测试的特点和测试要求是什么如何实现对ADC/DAC的静态和动态特性的测试?基于DSP的混合信号
2021-04-09 06:18
异的高温和高频性能。 案例简介：SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数，从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而，由于 SiC
2025-04-08 16:00
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
变换器所接的输出负载：这就要看其外部实际接到什么负载，研发测试过程中通常使用电子负载，这要看电子负载所设定的为阻性负载还是容性负载。在实际的电路板上，所接的负载差别较大，特性也不同。在实际应用的过程中
2016-12-16 16:53
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
