MOSFET数据表一般根据优先级显示单次电压测量时的输出电容。虽然这些参数值已足以与过去的产品进行比较，但要在当今的组件中使用这些值，就有些不合适了。因此目前需要性能更好的产品电容。MOSFET
2014-10-08 12:00
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
张兴柱之MOSFET分析
2014-06-19 21:11
。 双管和单管功率MOSFET管，要综合考虑开关损耗和导通损耗，RDS(on)不是简单减半，因为双管并联工作，会有电流不平衡性的问题存在，特别是开关过程中，容易产生动态不平衡性。不考虑开关损耗，仅仅
2025-11-19 06:35
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:43 编辑 电动自行车MOSFET驱动原理分析`
2012-08-20 09:48
在放大电路动态分析时要把vcc短路掉为什么要短路他呢
2015-02-01 23:47
异的高温和高频性能。 案例简介：SiC MOSFET 的动态测试可用于获取器件的开关速度、开关损耗等关键动态参数，从而帮助工程师优化芯片设计和封装。然而，由于 SiC MOSF
2025-04-08 16:00
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
