`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先
2018-11-30 11:34
MOSFET驱动器LTC1154资料下载内容主要介绍了：LTC1154引脚功能LTC1154功能和特点LTC1154内部方框图LTC1154典型应用电路
2021-03-24 06:18
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-
2018-11-28 14:28
MOSFET几乎立即完全导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC
2023-02-22 16:34
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-07-29 09:46
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更
2018-11-28 14:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 MOSFET是指金属氧化物场效应管，具体的可分为P沟道和N沟道，一般用得多的是N沟道的。MOS管是电压控制型的元件，可以用一个
2012-07-04 17:18
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压
2018-11-28 14:28
也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MO
2021-10-28 10:06
