6.5kV新型全SiC MOSFET功率模块内部采用半桥拓扑，一般的大功率应用可以采用并联连接来提高输出功率。高电压
2018-09-13 15:04
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选
2024-10-30 15:24
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块
2018-05-17 09:33
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，在电子领域尤其是电源管理
2024-05-31 17:51
如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54
功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13
某些电源架构要求电源排序器（或系统管理器）控制下游功率MOSFET，以允许功率流入分支电路。如果输入电源电压至少比电源输出电压高5V，则可以在电源输出端放置一个功率
2023-02-09 12:07
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几
2024-02-23 09:38
