`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为
2019-11-17 08:00
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为
2019-11-17 08:00
能力的快照。本网上广播将提供功率MOSFET数据表概览，和阐明具体的数据表参数和定义。 功率MOSFET有各种各样的尺
2018-10-18 09:13
的差异相互扩散，也会在PN结的两侧产生电荷存储效应，这些因素作用在一起，在任何半导体功率器件内部，就会产生相应的寄生电容。MOSFET的寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，
2016-12-23 14:34
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于
2018-07-12 11:34
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发
2019-07-04 06:22
在功率MOSFET的数据表中，列出了开通延时、开通上升时间，关断延时和关断下降时间，作者经常和许多研发的工程师保持技术的交流，在交流的过程中，发现有些工程师用这些参数来评估功率
2016-12-16 16:53
；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路（1）：等效电路（2）：说明实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻
2021-09-05 07:00
毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件。六、包含寄生参数的功率MOSFET等效电路1）等效电路：2）说明：实际的功率
2021-08-29 18:34
