MOSFET ，是许多应用的优雅解决方案。然而，SiC功率器件的圣杯一直是MOSFET，因为它与硅IGBT的控制相似 - 但具有前述的性能和系统优势。 SiC MOSFET
2023-02-27 13:48
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOS
2025-03-25 13:43
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过
2017-04-15 15:48
，但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于
2021-06-16 09:21
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和
2018-11-28 14:25
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
IGBT MOSFET建模(电源4572)-该文档为利用Simplorer IGBT MOSFET建模仿真，simplorer为最近几年新出的仿真软件，模型具有比较准确
2021-07-26 13:35
