功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
求助！平板IGBT用英语怎么说？
2014-12-04 16:47
日本有意将英语列为小学的必修课，但英语教师成本高，招聘又不容易，于是有小学出奇招，用机器人教小学生英语。
2018-08-13 17:11
SiC MOSFET 的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51
挑战用200张思维导图记完初中英语单词资源
2021-08-20 14:21
MOSFET没有二次击穿。这很快被证明是错误的，原因是寄生NPN。第二次击穿是从双极中得知的。虽然其基极被铝短路，但输出=漏极=集电极上的高dv/dt将通过集电极基极电容产生如此高的电流，以至于在基极
2023-02-20 16:40
两码事，虽然表面上看上去都是用26个字母在拼写，但实际上编程的语法和英语的语法也完全没关系，命令也就是那么几个，跟英语单词比起来实在是少太多了，国内大多数的编程教材也都是中文的，所以
2018-01-02 14:14
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）。
2022-02-09 11:42
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
