功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗？ 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念，它是指当高压电
2024-03-26 16:12
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩
2023-12-30 17:06
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将发生击穿
2023-11-24 14:20
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
很多编程培训机构都宣传0基础可入门、0基础可精通，好像是个人都能够学会编程一样，那么学编程需要什么条件？学编程需要英语基础吗？英语到底对于编程有多重要了？ 学编程需要英语基础吗 编程和
2018-01-02 14:14
激光诱导击穿光谱(英语:Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技术，通过超短脉冲激光聚焦样品表面形成等离子体，进而对等离子体发射光谱进行分析以确定样品的物质成分及含量。
2024-10-18 14:53
