功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗？ 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念，它是指当高压电
2024-03-26 16:12
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩
2023-12-30 17:06
何谓PN结的击穿特性？雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点？ PN结的击穿特性是指当在PN结上施加的电压超过一定的值时，PN结将发生击穿
2023-11-24 14:20
本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介质击穿
2018-03-27 18:21
击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质
2019-09-04 11:19
来源：电源网综合 从事电源电子行业的工程师对电容这个电子元器件应该都不陌生了。但是关于电容击穿的各种问题，很多工程师还是有些困惑，本篇文章就主要讲解一下电容击穿的概念、条件、原因以及避免电容击穿
2020-10-12 01:19
