负载点电源供应系统 (POL) 或使用点电源供应系统 (PUPS) 等供电系统都广泛采用同步降压转换器。这种同步降压转换器采用高端及低端的 MOSFET 取代传统降压转
2022-01-03 07:30
MOSFET没有二次击穿。这很快被证明是错误的，原因是寄生NPN。第二次击穿是从双极中得知的。虽然其基极被铝短路，但输出=漏极=集电极上的高dv/dt将通过集电极基极电容产生如此高的电流，以至于在基极
2023-02-20 16:40
。什么是雪崩失效本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在
2022-07-26 18:06
的时候，会损坏MOSFET，引起过冲和震荡。 想问下，过冲指什么，是什么情况。震荡又是指什么。怎么会出现这种情况，有无原理解释，还有就是如果损坏MOSFET的话损坏哪里，是不是击穿
2013-03-09 12:58
的时候，会损坏MOSFET，引起过冲和震荡。 想问下，过冲指什么，是什么情况。震荡又是指什么。怎么会出现这种情况，有无原理解释，还有就是如果损坏MOSFET的话损坏哪里，是不是击穿
2013-02-08 15:28
讨论如何根据RDS（ON）、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率
2011-08-17 14:18
损坏，在芯片整体温度提高的条件下，MOSFET更容易发生单元的热和电流不平衡，从而导致损坏。在实际应用中，应该基于系统最恶劣条件下来考虑击穿电压。选择漏源极电压BVDSS的基本原则为：在实际工作环境中
2023-02-20 17:21
我一直以为mosfet内部有静电保护功能，因为从来都没有因手工焊接而击穿过，突然发现这可能不对，MOSFET有内部静电保护吗？
2011-10-21 11:52
什么是电容击穿？电容器被击穿的条件是什么？电容击穿是开路还是短路？电容击穿的原因是什么？如何避免介质击穿？
2021-06-18 09:59
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
