功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
MOSFET没有二次击穿。这很快被证明是错误的，原因是寄生NPN。第二次击穿是从双极中得知的。虽然其基极被铝短路，但输出=漏极=集电极上的高dv/dt将通过集电极基极电容产生如此高的电流，以至于在基极
2023-02-20 16:40
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗？ 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念，它是指当高压电
2024-03-26 16:12
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）。
2022-02-09 11:42
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
负载点电源供应系统 (POL) 或使用点电源供应系统 (PUPS) 等供电系统都广泛采用同步降压转换器。这种同步降压转换器采用高端及低端的 MOSFET 取代传统降压转
2022-01-03 07:30
崩击穿和齐纳击穿是半导体器件中常见的两种击穿现象，它们在物理机制、电压特性和应用方面有很大的区别。本文将对这两种击穿现象进行详细的介绍和分析。 一、雪崩
2023-12-30 17:06
本文介绍一个基本微机的新型电磁线击穿电压自动测量系统，可实现同时对5个电磁线试样的击穿电压的连续自动测量。
2009-07-03 15:02
