功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFE
2023-06-02 14:15
功率MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型—
2009-04-14 22:08
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
电流。但是，故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时，二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型：（a）齐纳击穿和（b）雪崩击穿。
2024-05-05 14:38
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型
2023-11-07 14:51
本文开始介绍了击穿电压的概念和击穿电压的主要因素，其次阐述了击穿电压的工作原理以及介绍了影响介电击穿强度的因素，最后介绍了电压击
2018-04-03 16:11
雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空
2010-02-27 11:49
Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）放大器以其独特的性能和广泛的应用领域，成为现代电子技术中的重要组成部分。本文将详细探讨MOSFET放大器的原理、种类及其应用特点，以期为读者提供全面的理解和参考。
2024-05-23 14:36
雪崩击穿的概念 如何区别齐纳击穿和雪崩击穿 雪崩击穿是可逆的吗？ 雪崩击穿是电气工程领域中的一个重要概念，它是指当高压电
2024-03-26 16:12
