功率MOSFET雪崩击穿问题分析 摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时
2009-07-06 13:49
MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFE
2023-06-02 14:15
。本篇将以ROHM的产品阵容及其特征作为SJ-MOSFET的具体案例来进行说明。SJ-MOSFET的种类以ROHM为例，SJ-MOSFET是根据噪声、导通电阻、高速性及
2018-12-03 14:27
功率MOSFET的种类 按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型—
2009-04-14 22:08
单脉冲雪崩击穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的是MOSFET器件串联感性负载时，在单次脉冲(工作到关断)状态下，所能承受的最大能量消耗，单位是焦耳(J)，其值越大，器件在电路中遭遇瞬间过电压
2025-05-15 15:32
范围对应着三种不同驱动电压类型的功率MOSFET，下面就来认识这三种类型的功率MOSFET。1、功率MOSFET驱动电压类型1.1 通用驱动的功率
2019-08-08 21:40
MOSFET没有二次击穿。这很快被证明是错误的，原因是寄生NPN。第二次击穿是从双极中得知的。虽然其基极被铝短路，但输出=漏极=集电极上的高dv/dt将通过集电极基极电容产生如此高的电流，以至于在基极
2023-02-20 16:40
电流。但是，故障不是永久性的。当这个大的反向偏置被移除时，二极管将恢复到正常状态。二极管的击穿可以有两种类型：（a）齐纳击穿和（b）雪崩击穿。
2024-05-05 14:38
MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate，场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G，（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）。
2022-02-09 11:42
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型
2023-11-07 14:51
