电容器击穿电压是多少一般有什么限制
2023-10-18 06:18
，在动态的极端条件下，瞬态的电压峰值不要超过MOSFET的额定值。有些客户的要求，最大的峰值漏源极的电压最多不大于器件规格书中标称漏源击穿
2023-02-20 17:21
电动自行车一般用的是IGBT还是MOSFET？是什么原因呢？
2023-03-16 10:27
雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流，如不作限流，雪崩击穿的电流要大。（3）穿通击穿一般不会出现破坏性
2019-02-12 13:59
时间内的电压变化量，VDS的上升坡度越陡，越容易发生dV/dt失效问题。・一般来说，反向恢复特性越差，dV/dt的坡度越陡，越容易失效。
2022-07-26 18:06
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些
2021-02-02 09:55
实际工作环境中，在动态的极端条件下，瞬态的电压峰值不要超过MOSFET的额定值。有些客户的要求，最大的峰值漏源极的电压最多不大于器件规格书中标称漏源击穿
2016-09-06 15:41
，如图1示。6、稳压管一般不并联使用。几个稳压管并联后，稳压值将由最低(包括正向导通后的电压值)的一个来决定。还是以上述两个稳压管为例，来说明稳压值的计算方法。两个并联
2018-10-23 17:33
这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。 1.电路原理 晶体管反向
2021-05-07 07:20
。 当然过高的电压一样会伤人，几千伏、几十千伏甚至更高的电压，即使身体做绝缘防护措施
2021-03-15 16:16
