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第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和

2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

 一、概述 PN8080是内置高压低导通电阻MOSFET的开关稳压器。在单个IC中集成了功率开关、控制逻辑和保护电路。可以用于多种开关稳压应用(例如:副边反馈反激开关电源和正激

2024-10-30 15:51 东莞市中铭电子 企业号

要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N

2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

FP7209 是一颗升压 LED 驱动 IC，控制外部开关 NMOS，输入低启动电压 2.8V，工作 电压 5V，VFB反馈电压 0.25V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软

2022-11-16 22:11 卓达鑫 企业号

一、概述该方案由PN8161(G)、PN8307H、 AP5811套片电源管理芯片组成。PN8161内部集成了准振工作模式的电流模式控制器和NeoFET,专用于高性能、外围元器件精简

2024-08-19 09:39 东莞市中铭电子 企业号

这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

一、概述PN6795D开关电源芯片方案集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D开关

2024-12-12 09:23 东莞市中铭电子 企业号

FP7209 是一颗升压 LED 驱动 IC，控制外部开关 NMOS，输入低启动电压 2.8V，工作 电压 5V，VFB反馈电压 0.25V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软

2022-11-16 22:54 卓达鑫 企业号

电动汽车空调压缩机是热泵空调系统的核心，合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率，从而可以提高整个系统的效率。传统的1200V硅IGBT方案开关损耗较大，散热问题严重，若采用碳化硅MOSFET方案

2023-08-09 10:12 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。 软启动时间透过外部电容调整，LED开路保护透过外部电阻调整；调光控制EN Pin，EN内部有滤波器，可以实现线性与数字调光，

2021-10-18 10:02 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号