LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
的。下图是典型的功率损耗与MOSFET表面结温（Casetemp.）的曲线图。一般MOSFET的规格书里面会定义两个功率损耗参数，一个是归算到芯片表面的功率损耗，另一个是归算到环境温度的功率损耗
2018-07-12 11:34
条件下，导通电阻分别为1．84 mW和2．57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6．9 nC和19．4 nC。
2020-07-10 17:22
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02
的应用程序中必要时，如驾驶许多系列LED时，MOSFET放置在与OUTx销系列系列LED（S）可用于扩大应用范围的TLC5940之外可以用。图1给出了插入式串联MOSFET的典型电路。
2018-04-12 10:49
MOSFET，与典型继电器解决方案相比，此参考设计旨在打造一个尺寸极小的功率级布局。此参考设计还包括两个用于对电机位置进行编码的 TI DRV5013-Q1 锁存霍尔传感器。主要特色15A 电机驱动低组件数防夹检测反向电池保护2 位霍尔编码器采用脉宽调制 (PW
2018-10-08 16:30
The HIP2060 is a dual MOSFET array topology in a half-bridgeconfiguration which represents a new
2009-05-12 11:09
瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下，理想MOSFET的工作波形和工作顺序。 图1 升压转换器中的MOSFET的典型关断瞬态波形 当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间
2018-10-08 15:19
