。 功率场效应管(MOSFET)的特点功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点：1．场
2011-12-19 16:52
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
用石墨烯电导率变化实现太赫兹调制
2020-12-31 06:05
：光电导效应光生伏特效应8．1．1外光电效应在光线作用下，电子逸出物体表面向外发射称外光电效应。光照射物体时，电子吸收入射光子的能量，每个光子
2012-10-20 08:13
管MOSFET只需要栅极引脚上的电压来允许电流在漏极和源极引脚之间流动。场效应管MOSFET在实际设计中具有非常高的栅极阻抗，这就决定了
2022-09-06 08:00
留下空穴（如圆圈所示）。光激发的电干-空穴对在外电场作用下同时参与导电。因此，当光入射到半导体材料后，能改变其导电性能，随着光强的增加，其导电性能变好，这种现象即光电导效应。具有光电导效应的半导体材料
2018-01-09 11:43
的则是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。即使半导体材料的有许多电学特性都会受到光的照射而发生变化。光电效应
2013-04-03 14:21
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有
2023-02-02 16:26
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33
