，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET
2016-09-26 15:28
的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度
2018-11-28 14:29
)留有余量。由于V_DSS相对于温度具有正温度特性，因此必须考虑元件使用的温度
2024-06-11 15:19
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关
2019-04-10 06:20
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致
2019-05-02 09:41
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负
2024-01-29 07:41
，MOSFET的体二极管是具有pn结的二极管，因而存在反向恢复现象，其特性表现为反向恢复时间（trr）。下面是1000V耐压的Si-MOSFET和SiC-
2018-11-27 16:40
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的
2018-11-28 14:28
IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。如V-I特性所示，Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好
2018-11-28 14:25
的基本工作原理和特性主要体现在MOS结构的工作原理以及MOSFET中沟道的特性。此时要分两大类情况来分析MOSFET的基本工作原理，一类是
2024-06-13 10:07
