理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有
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的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度
2018-11-28 14:29
，温度降低，从而实现自动的均流达到平衡，这也是功率MOSFET相对于晶体管最具有优势的一个特性。同样对于一个功率MOSFET
2016-09-26 15:28
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性--栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的
2023-02-09 10:19
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关
2019-04-10 06:20
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性：在功率转换中，MOSFET基本上被用
2023-02-09 10:19
具有动态温度补偿的修正 MOSFET 模型
2022-11-15 20:07
)留有余量。由于V_DSS相对于温度具有正温度特性，因此必须考虑元件使用的温度
2024-06-11 15:19
继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后，本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容：
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具有正温度系数电阻的温度传感器电路图
2009-04-13 09:29
