普通单向晶闸管靠控制极信号触发之后，撤掉信号也能维持导通。欲使其关断，必须切断电源或施以反向电压强行关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积、质量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声，可
2021-01-07 14:31
对输入电容器放电，从而缩短开关时间，进而降低开关损耗。如果使用普通的 N 沟道器件，通过更低输出阻抗的 MOSFET 驱动器和/或负关断电压，可以增大放电电流。提高开关速度也能降低开关损耗，当然由于 MOSFET 的
2022-04-11 08:03
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41
先讲连续时或临界时MOS管DS波形，在讲断续模式下mos管Ds波形。
2023-03-16 11:13
门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）是一种特殊的电力半导体器件，属于晶闸管的一种派生器件。它具备普通晶闸管的耐高压、电流容量大以及承受浪涌能力强等优点，同时
2024-05-27 15:14
在labview中使用最多的图形显示有波形图和波形图表，在介绍波形的技巧之前我们先来弄清楚波形图和波形图表的区别。
2020-10-22 11:43
可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样，也是由PNPN四层半导体构成，外部也有三个电极，即门极G、阳极A和阴极K。普通单向晶闸管只构成一个单元器件，而可关断晶闸管则构成一种多元的功率集成器件，它
2021-01-07 15:11
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC内部的驱动源来驱动，为了提高关断的速度，实现快速的关断降低关断损耗提高系统效率，在很多ACDC电源、手机充电器以及适配
2020-06-07 12:01
