在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本
2018-06-11 07:51
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效电路所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off)和Δt 程中
2018-12-22 12:41
当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时，由于此时开关频率比较高，此时就要求我们能更快速的开关MOS管，从理论上说，MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动电路。当然电流更高的关断电路可以更快
2022-04-11 08:03
普通单向晶闸管靠控制极信号触发之后，撤掉信号也能维持导通。欲使其关断，必须切断电源或施以反向电压强行关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积、质量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声，可关断晶闸管克服了上述缺
2021-01-07 14:31
门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor，简称GTO）是一种特殊的电力半导体器件，属于晶闸管的一种派生器件。它具备普通晶闸管的耐高压、电流容量大以及承受浪涌能力强等优点，同时
2024-05-27 15:14
可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样，也是由PNPN四层半导体构成，外部也有三个电极，即门极G、阳极A和阴极K。普通单向晶闸管只构成一个单元器件，而可关断晶闸管则构成一种多元的功率集成器件，它
2021-01-07 15:11
功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC内部的驱动源来驱动，为了提高关断的速度，实现快速的关断降低关断损耗提高系统效率，在很多ACDC电源、手机充电器以及适配
2020-06-07 12:01
电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
2019-06-18 16:49
