具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。
2022-07-06 12:30
当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时，由于此时开关频率比较高，此时就要求我们能更快速的开关MOS管，从理论上说，MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动电路。当然电流更高的关断电路可以更快
2022-04-11 08:03
dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2022-03-29 17:53
反激式转换器在正常工作情况下，当MOSFET关断时，初级电流(id)在短时间内为 MOSFET的Coss（即Cgd+Cds)充电,当Coss两端的电压Vds超过输入电压及反射的输出电压之和
2018-01-31 16:13
正常情况下，1/8分频器输出信号使得功率 MOSFET导通，若故障发生，它的输出信号使得功率MOSFET关断，并且它自身开始计数，第1 个周期，功率MOSFET导通。若
2018-07-06 06:32
MOSFET的体二极管能够让感性负载电流在MOSFET处于“关断”状态时绕开MOSFET。因此，它在同步整流（AC-DC和DC-DC）和电机控制（全桥和半桥）等许多应用
2023-02-07 09:21
P+和P-之间，电流从P+到单体电池的B+和B-，再经过充电控制MOSFET到P-。在充电过程中，当单体电池的电压超过4.35V时，专用集成电路DW01的OC脚输出信号使充电控制MOSFET关断，锂电池
2018-01-02 09:59
MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被RCD电路吸收,从而削减了尖峰电流. 缓冲电容一定要足够大,才能保证在一个开关周期内电容两端的电压没有显著变化.但是吸收电容太大，也会增加缓冲电路的损耗。必须折中。
2018-05-09 08:32
在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41
