关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中，MOSFET基本上被用作
2018-11-28 14:29
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明 功率
2024-06-11 15:19
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？ 设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。 通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
2024-01-29 07:41
二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加控制）（2）：说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度
2018-10-25 16:11
二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加控制）（2）：说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度
2021-09-05 07:00
二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。三、功率MOSFET的反向导通等效电路（2）1）等效电路（门极加控制）：2）说明：功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度
2021-08-29 18:34
、低、高阻态）。实际上，我们害怕的就是高阻态嘛，由于当你前面不接的时候，又断开了，才有高阻态。在电路设计中，我们从逻辑角度来讲，不是高就是低，这样子才是最好的，有利于电路的逻辑。同样的，
2021-05-10 09:52
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-
2018-11-27 16:40
