2所示，公式1极适用于平面型MOSFET组件，但像超接面等更复杂结构的表征效果极差，在任何计算中都会导致较大误差。为了适应各种新组件架构的电容特性需求，可以使用更有效率的电容测量方法，而非建立
2014-10-08 12:00
计算公式 MOSFET NTC计算公式 PWM IC频率计算 RT温度计算公式.xls TL431分壓電阻計算.xls 电感
2012-12-17 16:05
您好，我在设计基于MOSFET的VI电流源时参考了文献sboa327中的示例，但是在进行稳定性分析时得不到文献中的结果，TI Precision labs也看了，没有带MOSFET的例子。能否帮我
2024-07-31 06:41
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的，这里不作赘述，只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外，这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用，对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00
损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。MOSFET传导损耗、I2R，利用公式2定义的电流和
2018-08-27 20:50
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19
。这两个参数可以通过如下两个公式获得，重点强调一点，与功耗温度曲线密切相关的重要参数热阻，是材料和尺寸或者表面积的函数。随着结温的升高，允许的功耗会随之降低。根据最大结温和热阻，可以推算出MOSFET可以
2018-07-12 11:34
米勒平台的时间t3为： t3也可以用下面公式计算： 注意到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流ID，就保持在电路决定的恒定最大值ID，漏极电压开始下降，MOSFET固有的转移特性使栅极电压和漏
2025-02-26 14:41
。对PFC电路而言，当交流输入电流大于2.65A RMS时，MOSFET具有较大的传导损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。
2017-04-15 15:48
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
