采用IGBT这种双极型器件结构（导通电阻变低，则开关速度变慢），就可以实现低导通电阻、高耐压、快速开关等各优点兼备的器件。3. VD - ID特性SiC-MOSFET与
2019-04-09 04:58
[size=13.63636302948px]BUCK电路里面如果用MOSFET做开关管，TL494做脉冲宽度调制 (Pwm) 控制电路，请问怎么驱动
2014-11-15 16:35
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Blueto
2022-11-17 08:05
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2021-10-28 06:56
分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点
2018-09-03 15:17
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
IGBT高压开关的优点说明 IGBT是一种高压开关器件，它结合了 MOSFET和BJT的优点，具有许多独特的优势。在本文
2024-01-04 16:35
电路设计如图；问题：MOSFET测量栅极有开启电压+3.6V，漏极电压+12V，但是源极电压测量为+1V;分析：有可能是MOSFET坏了，除了这个可能性，不清楚是不是设计上有问题，希望大家帮忙，目前源极没有接负载，这对电路有没有影响呢？
2019-09-11 14:32
开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃 功率MOSFET以其导通电阻低和负载电流大的突出优点，已经成为开关
2010-03-01 11:00
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和
2018-05-07 10:38
