的。例如，导通时间可解释为“VGS上升到10%后，到MOSFET导通10%的时间”。开关特性的温度特性这些开关时间随着温度上升略有増加趋势。由于温度上升100℃约增加1
2018-11-28 14:29
和突然，因为通常的观点都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当多个并联工作的功率MOSFET其中的一个温度上升时，由于其具有正的
2016-09-26 15:28
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-
2019-04-10 06:20
继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压
2018-11-28 14:28
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而
2018-07-12 11:34
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外，对于散热量极低的笔记本电脑来说，这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作
2021-01-11 16:14
SOA與Tj通常是用來評估MOSFET操作是否安全可靠的二個判斷機制，甚至當MOSFET發生損壞時，也會使用SOA與Tj來加以確認其計算結果是否在MOSFET所定義的規格之內~SOA(安全操作區域
2019-09-17 09:05
的电压和电流的值称为“阈值”。VGS(th)、ID-VGS与温度特性首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS
2019-05-02 09:41
