场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03
你好： 我使用 LT3763 驱动一个 72W LED。 LT3763的输入为24V，负载电压和电流为8V和9A。 当我将LT3763设置为连续工作模式时，3分钟后，高端MOSFET的温度为93°C，非常高。
2024-07-23 06:43
理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性 通常，许多资料和教材都认为，MOSFET的导通电阻具有正的温度系数，因此可以并联工作。当其中一个并联的
2009-11-10 10:53
在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。例如，一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的，在接近最高结温时，温度系数会让这些
2021-03-11 09:50
在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ（结温）、TA（环境温度）和TC（外壳温度）。 1. MOS
2024-08-15 17:00
MOSFET炸管也有三大原因，电压，电流，温度，比如MOSFET漏源极两端的电压超过了最大极限值，或者MOSFET的漏源极电流超过了最大极限值，或者
2024-11-15 18:25
通过大量并联MOSFET（总体RDSon 为0.3 mΩ）保证实现极低的功率损耗，MOSFET的温度不会上升到高于环境温度65°C。
2023-11-24 11:36
对MOSFET的重要设计参数进行介绍。 1. 功率损耗MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而
2018-07-12 11:34
