在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体
2024-02-23 09:38
本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解米勒平台的形成机制。最后给出了场效应管栅极电荷的作用。
2022-03-10 14:44
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型
2022-09-13 14:38
JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场
2023-11-07 14:36
功率金属-氧化物-半导体场效应管 （Power MOSFET) 由于输入阻抗高、开关速度快，并且具有负温度系数（温度上升时电流减少），因此被认为是一种理想的开关器件。功率金属-氧化物-半导体场
2024-01-16 09:45
场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（金属硅场效应
2023-02-17 15:44
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
2017-08-04 10:37
场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流 。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（
2023-11-17 16:29
噪声系数的定义是输入信噪比比上输出信噪比，即噪声系数是对信号的SNR下降的程度进行衡量。
2024-03-27 15:14
