硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到
2024-10-14 15:48
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2018-08-31 09:51
过二极管充电至接近电源电压（减去二极管的正向压降）。此时，二极管两端的电压将等于其正向
2024-08-27 09:33
体二极管是MOS管中的一个重要组成部分，它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了，因此出现了SD之间的
2024-01-23 09:39
在二极管恒压降模型中，只考虑二极管PN结的内建电场的作用， 不把二极管看做有电阻的。
2018-08-31 10:21
发光二极管（Light-Emitting Diode）是一种能发光的半导体电子元件，简称LED 。
2018-08-31 10:46
0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压
2024-01-07 11:13
下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，其被称为体二极管，或者叫寄生二极管
2023-01-11 11:22
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降
2018-01-21 11:01
