吸收电路参数之间的关系，并求解出缓冲吸收电路参数的优化区间，最后通过仿真和实验验证该方法的正确性。1. SiC-MOSFET 半桥主电路拓扑及其等效电路 双脉冲电路主电路拓扑结构（图 1）包含
2025-04-23 11:25
，尤其是从来没有基于MOSFET内部的微观结构去考虑驱动电路的设计，导致在实际的应用中，MOSFET产生一定的失效率。本文将讨论这些细节的问题，从而优化MOSFET的驱
2011-09-27 11:25
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉
2020-04-24 18:09
绝大多数情况下都取决于IC的规格，因此虽然不是没有方法，但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲，在规格方面，一般的IGBT或Si-MOSFET
2018-11-27 16:54
的帧速率，使其成为更好、更流畅的体验。 本指南介绍了优化Unity程序的方法，尤其是它们的GPU使用。 本指南将优化分为三章： •应用程序处理器优化•GPU
2023-08-02 18:52
本帖最后由 liuyongwangzi 于 2018-5-30 10:03 编辑 使用桥式整流器配置中的四个二极管是对AC电压进行整流的最简单、也是最常规的方法。在一个桥式整流器中运行一个
2018-05-30 10:01
目录一、电源优化方法1.1 功能禁用1.2 动态功耗管理 (Dynamic Power Management)1.3 频率缩放1.4 时钟门控1.5 使用PL加速二、四大功耗域及PMU2.1 电池
2021-11-12 08:36
阻进一步减少，MOSFET进入完全导通状态;此时损耗转化为导通损耗。三、MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系从MOSFET
2019-09-25 07:00
对于写密集型提高性能需尽量减少刷写、合并和拆分的次数，以减少IO压力，提高系统性能。除了以上方法可以提高HBase性能之外，还可以采用以下方法：1. JVM垃圾回收优化；2. 本地memstore分配
2018-04-20 17:16
