本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然
2021-01-30 13:20
开关电源MOSFET驱动电路介绍及分析(4)
2019-03-12 11:37
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
第四部份似乎很相似，这样做可行么？问题分析：系统短路的时候，功率MOSFET相当于工作在放大的线性区，降低驱动电压，可以降低跨导限制的最大电流，从而降低系统的短路电流，从短路保护的角度而言，确实有一定
2016-12-21 11:39
MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。系统中的负载开关在哪里一个典型系统包括一个电源和多个负载，需要各种不同的负载电流，如Bluetooth®、Wi-Fi或处理器轨。多数
2022-11-17 08:05
MOSFET失效原因全分析
2019-03-04 23:17
大于B管，因此选取的MOSFET开关损耗占较大比例时，需要优先考虑米勒电容Crss的值。整体开关损耗为开通及关断的开关损耗之和：从上面的
2017-03-06 15:19
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选
2017-01-09 18:00
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率M
2017-02-24 15:05
张兴柱之MOSFET分析
2014-06-19 21:11
