进入2025年以来，全行业出现SiC碳化硅MOSFET价格开始低于传统IGBT的现象，比行业认知提前十几年见证功率半导体历史拐点：SiC碳化硅MOSFET
2025-03-03 16:28
`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
预计短期内IGBT价格将保持稳定，中长期至少到2020年仍存上升空间，2018年1-8月IGBT价格虽仍较高，但波动逐步放缓，预计全球再次出现
2019-02-14 09:55
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于
2021-06-16 09:21
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和
2018-11-28 14:25
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
