本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21
产品）的内部栅极电阻约为6.3Ω。这不仅局限于SiC-MOSFET，MOSFET的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-
2018-11-30 11:34
新一代无线通讯技术的快速发展和越来越广泛的应用，RF 功率 MOSFET有着非常乐观的市场前景。而目前国内使用的RF功率器件仍然依赖进口，国内RF芯片和器件自有产品不到1%，因此，自主开发RF功率MOSFET具有非常
2019-07-08 08:28
设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构
2021-07-29 09:46
性和低噪声特征，超级结MOSFET有一些变化。从下篇开始，将介绍每种变化的特征。关键要点:・Si-MOSFET的产品定位是“以低～中功率高速工作”。・超级结结构可保持耐
2018-11-28 14:28
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-
2018-11-28 14:27
设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构
2021-10-28 10:06
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSF
2018-12-03 14:27
