在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。
2024-10-15 14:47
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，
2022-09-13 14:38
基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级
2014-04-17 11:24
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结
2017-08-25 14:36
场效应晶体管 (MOSFET) 的温度特性进行了分析， 阐述了本征载流子浓度、 载流子迁移率等参 数受温度的影响机理， 分析了器件阻断特性、 输出特性、 转移特性等参量， 以便找到能够表征结 温特性
2023-04-15 10:03
瑞能G3 超结MOSFET Analyzation 瑞能超结MOSFET “表现力”十足 可靠性表现 可靠性保障 •瑞能严谨执行三批次可靠性测试，确保产品品质。
2025-05-22 13:59
根据Global Market Insights的调查，超级结MOSFET在去年在能源和电力领域中的市场份额超过30%，覆盖了电动车充电桩、服务器和数据中心电源、LED驱动、太阳能逆变器、家电控制等多个领域。预计到2032年，全球超级
2024-07-29 14:38
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58
功率开关应用电路的基本元件主要有MOSFET和快速恢复二极管。MOSFET和恢复二极管对于采用全桥或零电压开关／相移拓扑的电信和服务器电源、全桥电机控制系统、不间断电源、和高强度放电镇流器（HID
2018-04-08 09:18
