GaN MOSFET（氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速开关速度等优点。与传统的硅基MOSFET相比，GaN MOSFET
2024-07-14 11:39
受控源VCVS、VCCS、CCVS、CCCS 的实验研究 一、实验目的通过测试受控源的外特性及其转移参数，进一步理解受控源的物理概念，加深对受
2008-09-24 09:34
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特
2023-06-17 14:24
功率器件MOSFET的物理开盖手法
2022-07-05 16:14
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅
2022-09-21 00:08
电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件
2018-08-16 00:08
MOSFET，全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种重要的半导体器件。它属于场效应晶体管
2024-07-23 18:03
、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像
2023-10-18 16:05
受控源VCVS、VCCS、CCVS、CCCS的实验研究 一、实验目的1.进一步熟悉实验台的布局及直流电压源、直流电压表电流表的使用方法。2．通过测试受控源的外特性
2009-03-18 20:59
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的导通压降对门
2024-05-13 16:10
