的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。 当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET
2018-11-21 15:52
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-18 10:09
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-13 09:48
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而
2016-09-06 12:51
两层电源板，板子设计中有4个MOSFET管串联，由于只有两层，四个MOSFET管的3个源级要过大电流，所以用铜连接在一起；四个MOSFET管栅极
2018-07-24 16:19
性负载两端连接了一个简单的飞轮二极管，以在MOSFET将其“关断”时消散电动机产生的任何反电动势。由齐纳二极管与二极管串联形成的钳位网络也可用于允许更快地切换以及更好地控制峰值反向电压和压
2021-09-13 08:27
`请问像9926、8814这样的双MOSFET的规格书里所描述的导通内阻Rds(on)是指其一个MOSFET的内阻还是指两个MOSFET串联后的总内阻呢？望知道的朋友解
2012-10-03 15:57
在某些类型的高频开关电源设计中，组件和组件以串联和并联结构精心布置。不可能并联连接继电器以提供大电流，串联使用两个电容器或两个开关类管子(IGBT，三极管，MOSFET等)不用于
2021-12-29 06:42
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。例
2021-10-12 16:11
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 MOSFET开关损耗 1 开通
2025-02-26 14:41
