本文分析了功率MOSFET 对驱动电路的要求，对电路中的正弦波发生电路，信号放大电路和两路隔离输出变压器进行了设计。仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性。关
2009-06-18 08:37
当两个MOSFET串联在串联(半桥)时，请注意电流的限制，而这些限制并不总是在每个MOSFET都提供.
2018-03-26 08:34
因为功率MOSFET的导通电阻和耐压有以下的关系，即Rds(on)∞BVds2.4～2.7所在总芯片面积相等的情况下，如把几个低压MOSFET串联连接，比1个高耐压MOSFET
2010-05-25 08:16
`请问像9926、8814这样的双MOSFET的规格书里所描述的导通内阻Rds(on)是指其一个MOSFET的内阻还是指两个MOSFET串联后的总内阻呢？望知道的朋友解
2012-10-03 15:57
在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，重点关注了由于逆变器电路、Totem Pole型功率因数校正（PFC）电路等是两个MOSFET串联连接的桥式电路，因此存在因上下桥臂的直通电流导致导通损耗增加的现
2023-02-13 09:30
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。例
2021-10-12 16:11
的电荷可以在死区时间内被完全释放干净。 当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET
2018-11-21 15:52
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-13 09:48
）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足够的死区时间维持ZVS。图a)是典型的LLC串联谐振电路。图b)是感性负载下MOSFET的工作波形。由于
2018-07-18 10:09
达到550V左右时，电压被TVS所钳位；通过原边电流的续流将外置 MOSFET彻底关断，从而使得整个关断的电压应力由两个MOSFET串联分担。
2014-03-25 10:49
