本文汇集了 SiC MOSFET 最新结果的特定方面，涉及由于应用交流栅极偏置应力（也称为栅极开关应力）导致的阈值电压 (VT) 退化及其影响沟槽几何器件对负偏压过应力 (NBO) 效应的强烈依赖
2023-12-22 09:37
邦纳传感器的VT1无线振动温度传感器具体在DX80的应用如下，分别从DX80与Q45节点+VT1无线网络、MultiHop透传模式下DX80与Q45节点+VT1无线网络应用
2019-10-31 16:23
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的阈值电压（Vt）是其工作性能中的一个关键参数，它决定了晶体管从关闭状态过渡到开启状态所需的栅极电压大小。MOSFET的阈值
2024-05-30 16:41
虽然在热插拔™电路中使用多个并联MOSFET通常是可取的，有时甚至是绝对关键的，但仔细分析安全工作区（SOA）至关重要。电路中每增加一个并联MOSFET，就会改善应用的压降、功率损耗和随之而来的温升。
2023-01-09 15:06
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。本文探讨
2016-12-15 16:00
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态;当M
2022-04-19 10:28
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
