`国外MOSFET管子参数对照手册`
2012-10-10 10:32
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。MOSFET的主要特性参数 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写
2016-05-23 11:40
，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心，这是因为测试条件决定一切，事情往往是如此！图1显示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷
2022-11-18 08:05
1 引言 MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优
2021-07-27 06:44
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终
2022-11-16 08:00
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通
2018-07-18 10:09
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中
2021-01-30 13:20
，最终提高器件的稳健性。对最终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。 第四步：决定开关性能 选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参
2011-08-17 14:18
