和Flyback等电路（对MOSFET体二极管没有要求），因为LLC电路工作过程中，MOSFET的体二极管要参与大电流的过程，因此LLC电路中的
2019-09-17 09:05
开关MOSFET中的噪声（STGF20NB60S）以上来自于谷歌翻译以下为原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28
较小工艺节点的设计人员都经历过版图前仿真和版图后仿真非常不同的情况。通常，这归因于堆叠器件上所存在的互连寄生效应。 下面来看看几种实现堆叠MOSFET高质量版图的方法。图2中的子电路显示了将四个
2021-10-12 16:11
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终
2022-11-16 08:00
前言：MOSFET属于场效应管中的“金属-氧化物-半导体型”，简称金氧半场效晶体管，英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，一般
2023-02-21 15:53
完全释放干净。当原边的MOSFET都处于关断状态时，串联谐振电路中的谐振电流会对开关管MOSFET的等效输出电容进行充放电。MOSFET都关断时的等效电路如下图所示：通
2018-07-18 10:09
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体
2021-09-05 07:00
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-
2018-11-30 11:34
