2020-08-13 11:39
1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MO
2022-11-16 08:00
主要组成部分。低压器件中，沟道电阻和晶元之间的区域也会对通态电阻产生影响。沟道电阻主要依赖于栅极驱动程度。Vgs增加，Rdson减小。开始时，当Vgs增到阈值电压Vth以上时，Rdson很快降减小
2016-10-10 10:58
MOSFET：AON6260，数据表中，阈值电压VTH定义为最小的栅极偏置电压，最小值1.5V，典型值2V，最大值2.5V，测试电路如图1所示。可以看到，测试的条件为I
2016-11-08 17:14
ADP2386的典型应用编程输入电压UVLO上升阈值为11 V，下降阈值为10 V，VIN = 12 V，VOUT = 5 V，IOUT = 6 A，fSW = 600 kHz。 ADP2386
2020-05-05 06:47
承受电压。如果P-体区的厚度不够，高掺杂太高，耗尽区可以由通孔达到N源极区，从而降低了击穿电压值。如果P-体区的厚度太大，高掺杂不够，沟道的电阻和阈值电压将增大。因此需要仔细的设计P-体区、epi掺杂
2016-09-06 15:41
转换，负载开关，电机控制，背光，电池保护，电池充电器，音频电路和汽车。推荐产品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相关产品请点击此处前往特征：低导通电阻低栅极阈值电压输入
2019-05-13 11:07
MOSFET。功率MOSFET的无损保护是LM9061。通过电源设备的电压降（VDS）持续监测，并与外部可编程阈值电压进行比较。小电流感应电阻与负载串联，导致损耗保护电
2020-07-14 14:53
的影响更明显。（3）降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压同时提高跨导，也可以提高开关速度，降低开关损耗。但过低的阈值电压会使MO
2017-03-06 15:19
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
