的开通过程中，跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明：米勒平台时间在开通损耗中占主导地位，这也是为什么在选择功率MOSF
2017-02-24 15:05
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的
2017-03-06 15:19
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极
2022-11-16 08:00
工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。1. 开通过程中MOSFET开关损耗2. 关断过程中
2021-01-30 13:20
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
功率MOSFET的Coss会产生开关损耗，在正常的硬开关过程中，关断时VDS的电压上升，电流ID对Coss充电，储存能量。在MOSFET开通的过程
2017-03-28 11:17
和计算开关损耗，并讨论功率MOSFET导通过程和自然零电压关断过程的实际过程，以便电子工程师了解哪个参数起主导作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET开关
2021-10-29 08:43
5、无源元件损耗 我们已经了解MOSFET 和二极管会导致SMPS 损耗。采用高品质的开关器件能够大大提升效率，但它们并不是唯一能够优化电源效率的元件。图1 详细介绍了一个典型的降压型转换器IC
2021-12-31 06:19
无线充电电力传输过程中主要的损耗：1.供电端的驱动组件，主要是MOSFET的开关损耗2. 供电端和受电端的线圈与谐振电容通过电流的
2021-09-15 07:13
在BUCK型开关电源中，如果没有损耗，那效率就是100%，但这是不可能的，BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流
2021-10-29 08:08
