极（Gate极）、一个隔离的绝缘层和P型或N型的半导体材料组成。这两个区域分别称为漏区（Drain Region）和源区（Source Region）。 MOSFET的
2024-01-31 13:39
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）有三个主要电极，分别是栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。这三
2023-09-18 12:42
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，源极是控制栅极电场的参考点，它是连接到源
2023-02-21 17:52
为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压。
2023-02-16 11:18
为IO 设备分配一个名称: 1.在 HW Config中，打开 Properties – IM151-3 PN （属性 — IM151-3 PN ）对话框，然后输入 IO设备的设备名称。 2.
2022-10-20 16:52
MOSFET栅极与源极之间加一个电阻?这个电阻有什么作用?
2024-12-26 14:01
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从
2023-02-24 11:47
MOSFET是一种三端器件，其三个电极分别是栅极、漏极和源极。在MOSFET中，栅极可以控制漏
2023-02-28 17:41
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极
2022-12-06 09:14
