为IO 设备分配一个名称: 1.在 HW Config中，打开 Properties – IM151-3 PN （属性 — IM151-3 PN ）对话框，然后输入 IO设备的设备名称。 2.
2022-10-20 16:52
在各类电路图中，我们经常可以看到MOSFET在作开关时，其漏极和源极之间有一个寄生二极管，如图1所示。那么这个二
2023-11-14 16:04
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极
2022-12-06 09:14
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极
2018-01-22 07:21
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，它在电子电路中扮演着开关和放大器的角色。MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏
2024-09-18 09:58
在本示例中，将设备名称分配给一个 PROFINET IO 控制器和一个 PROFINET IO 设备。
2023-11-09 15:01
使用反向并联的肖特基势垒二极管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在电力转换应用中的性能和可靠性。本文将展示两家SiC器件制造商在集成SBD与MOSFET为单芯片解决方案方面所取得的进展。SiC
2025-03-20 11:16 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二
2024-02-23 09:38
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMOS和PMOS的漏
2023-11-15 09:30
MOSFET，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种电压控制的开关器件。它的工作原理是，通过在栅极施加电压，控制漏极和源极之间的电流。当栅极施加的电压为正时，会形成一个
2024-01-03 17:13
