目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案,存在问题为MOSFET可以正常开通,但无法关断,带负载时GS极始终存在4
2023-12-17 11:22
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二
2018-11-27 16:40
对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
,二极管P-N结积累电荷。当反向电压加到二极管两端时,释放储存的电荷,回到阻断状态。释放储存电荷时会出现以下两种现象:流过一个大的反向电流和重构。在该过程中,大的反向恢复电流流过
2019-09-17 09:05
管从而使元器件数量更少、电路规模更小。一般这类电路是由MOSFET或IGBT与二极管组合构成的。与二极管组合的原因是为了抑制MOSFET和IGBT的内部二
2018-11-28 14:27
。 3. 降低dv/dt,di/dt造成的震荡门极震荡是MOSFET高速驱动一个常见问题,驱动的震荡直接影响到电源系统的损耗以及可靠性,通常MOSFET门
2018-12-10 10:04
通电阻比普通产品低61%(双极MOSFET的Pch部分比较),有助于进一步降低各种设备的功耗。此外,通过将两枚器件集成到一个封装中,有助于通过减少安装面积从而实现设备的小型化, 还有助于减少器件选型
2021-07-14 15:17
的功率损耗。这些功率损耗会引起发热,需要设计人员执行散热管理,从而增加系统成本和解决方案尺寸。二极管的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA。用N沟道MOSFET替换高损耗二
2018-05-30 10:01
如何测量一个直流电动机的电感,手上的原件有一个MOSFET(IRF740A),二极管,若干电阻电容电感,请问如何连接电路,利用示波器,测出电动机的电感?
2016-01-15 02:50