极（Gate极）、一个隔离的绝缘层和P型或N型的半导体材料组成。这两个区域分别称为漏区（Drain Region）和源区（Source Region）。 MOSFET的
2024-01-31 13:39
目前想设计一个关于MOSFET的DG极驱动方案，存在问题为MOSFET可以正常开通，但无法关断，带负载时GS极始终存在4
2023-12-17 11:22
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）有三个主要电极，分别是栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。这三
2023-09-18 12:42
在N沟道MOSFET中，源极为P型区域，而在P沟道MOSFET中，源极为N型区域。在MOSFET的工作中，源极是控制栅极电场的参考点，它是连接到源
2023-02-21 17:52
为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压。
2023-02-16 11:18
为IO 设备分配一个名称: 1.在 HW Config中，打开 Properties – IM151-3 PN （属性 — IM151-3 PN ）对话框，然后输入 IO设备的设备名称。 2.
2022-10-20 16:52
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢？
2021-03-10 06:19
MOSFET栅极与源极之间加一个电阻?这个电阻有什么作用?
2024-12-26 14:01
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
。SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间（trr）。trr是二
2018-11-27 16:40
