GTO（Gate-Turn-OffThyristor）是门极可关断晶闸管的简称，他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流 使其关断，属于全控型器件。 门极可关断晶闸管是一种具有自关断能力和晶闸管特性的晶闸管。如果在阳极加正向电压时，门极加上正向触发电流，GTO就 导通。在导通的情况下，门极加上足够大的反向触发脉冲电流，GTO就由导通转为阻断。 它的一些性能虽然比绝缘栅双极晶体管、电力场效应管差，但其具有一般晶闸管的耐高压、电流
2023-02-23 09:46
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。
2023-02-24 10:33
MOSFET和IGBT内部结构不同， 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-06-05 10:00
SCR GTO MOSFET IGBT 区别
2016-02-19 14:34
` 本帖最后由 张飞电子学院郭嘉 于 2021-3-23 20:36 编辑 IGBT最近几年增长比较迅速，据相关部分统计2016年-2020年IGBT增长了8%，MOSFET增长仅5%。
2021-03-02 13:47
目录 IGBT和MOS管的区别：IGBT和可控硅的区别：IGBT驱动电路设计：1、
2021-09-09 08:05
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的。IGB
2021-10-29 08:28
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
